Regeling van de Minister voor Buitenlandse Handel en Ontwikkelingssamenwerking van 23 juni 2023, nr. MinBuza.2023.15246-27 houdende invoering van een vergunningplicht voor de uitvoer van geavanceerde productieapparatuur voor halfgeleiders die niet zijn genoemd in bijlage I van Verordening 2021/821 (Regeling geavanceerde productieapparatuur voor halfgeleiders)

Regeling geavanceerde productieapparatuur voor halfgeleiders

De Minister voor Buitenlandse Handel en Ontwikkelingssamenwerking,

Besluit:

Artikel

1

In deze regeling wordt verstaan onder:

  • −

    exporteur: exporteur als bedoeld in artikel 2, onderdeel 3, van de Verordening producten voor tweeërlei gebruik;

  • −

    geavanceerde productieapparatuur voor halfgeleiders: productieapparatuur, programmatuur en technologie, en speciaal ontworpen onderdelen en toebehoren daarvoor, als bedoeld in de bijlage bij deze regeling;

  • −

    inspecteur: de directeur-generaal Douane;

  • −

    Minister: de Minister voor Buitenlandse Handel en Ontwikkelingssamenwerking;

  • −

    uitvoer: uitvoer als bedoeld in artikel 2, onderdeel 2, van de Verordening producten voor tweeërlei gebruik;

  • −

    Verordening producten voor tweeërlei gebruik: Verordening (EU) 2021/821 van het Europees parlement en de Raad van 20 mei 2021 tot instelling van een Unieregeling voor controle op de uitvoer, de tussenhandel, de technische bijstand, de doorvoer en de overbrenging van producten voor tweeërlei gebruik (herschikking) (PbEU 2021, L 206).

Artikel

2

Het is verboden zonder vergunning van de Minister geavanceerde productieapparatuur voor halfgeleiders uit te voeren uit Nederland.

Artikel

3

Artikel

4

Artikel

5

Een vergunning als bedoeld in artikel 2 kan in ieder geval ingetrokken worden als:

  • a.

    de vergunning is verstrekt op grond van onjuiste of onvolledige gegevens;

  • b.

    de voorschriften, voorwaarden en beperkingen van de vergunning niet in acht zijn genomen;

  • c.

    overwegingen van nationaal buitenlands- en veiligheidsbeleid daartoe aanleiding geven.

Artikel

6

Deze regeling treedt in werking met ingang van 1 september 2023.

Artikel

7

Deze regeling wordt aangehaald als: Regeling geavanceerde productieapparatuur voor halfgeleiders.

Deze regeling zal met de bijlage en de toelichting in de Staatscourant worden geplaatst.

De Minister voor Buitenlandse Handel en Ontwikkelingssamenwerking, E.N.A.J. Schreinemacher

Bijlage

behorende bij de Regeling voor geavanceerde productieapparatuur voor halfgeleiders

Productieapparatuur, programmatuur en technologie voor halfgeleiderelementen of materialen, niet gecontroleerd onder 3B001, 3D001, 3D002 en 3E001 van bijlage I bij de Verordening producten voor tweeërlei gebruik, als hieronder, en speciaal ontworpen onderdelen en toebehoren daarvoor:

3B001.l

EUV pellicles

3B001.m

Productieapparatuur voor EUV pellicles

3B001.f.4

Lithografische apparatuur, als hieronder:

a. repeteerapparatuur (‹step and repeat› (‹direct step on wafer›) apparatuur of ‹step and scan› (scanner) apparatuur) voor uitrichten en belichten ten behoeve van het bewerken van wafers, waarbij gebruik wordt gemaakt van foto-optische of röntgenmethoden, met één of beide van de volgende eigenschappen:

1. golflengte van de lichtbron korter dan 193 nm, of

2. golflengte van de lichtbron gelijk aan of groter dan 193 nm:

a. in staat om patronen te produceren met een ‹minimum resolvable feature size› (MRF) van 45 nm of minder; en

b. een maximale ‹dedicated chuck overlay› (DCO) waarde kleiner dan of gelijk aan 1.50 nm.

Technische noot:

1. De ‹minimum resolvable feature size› (MRF) wordt berekend volgens de volgende formule:

waarbij de K-factor = 0,25

(MRF) is zelfde als resolutie.

2. DCO is de mate van accuraatheid van uitlijning van een nieuw patroon op een bestaand patroon belicht op een wafer door hetzelfde lithografische systeem.

3B001.d.12

Apparatuur voor atomaire-lagen-afzetting (ALD) van ‘uittreearbeid’ metalen

a. met alle van de volgende eigenschappen:

1. Meer dan één metaalbron waarvan één is ontwikkeld voor een aluminium (AI) uitgangsstof (‹precusor›); en

2. Uitgangsstofvat ontworpen voor temperaturen hoger dan 45 °C; en

b. Ontworpen voor afzetting van ‘uittreearbeid’ metalen met alle van de volgende eigenschappen:

1. Afzetting van titanium aluminium carbide (TiAlC); en

2. De mogelijkheid tot een ‘uittreearbeid’ hoger dan 4.0eV.

Technische noot:

1. ‘uittreearbeid metaal’ is een materiaal dat de drempelspanning van een transistor reguleert.

3B001.a.4

Apparatuur ontworpen voor epitaxiale groei van silicium (Si), koolstof-gedoteerd silicium, siliciumgermanium (SiGe), of koolstof-gedoteerd SiGe

a. met alle van de volgende eigenschappen:

1. Meerdere kamers en middelen voor hoog-vacuüm (minder dan of gelijk aan 0.01 Pa) of een inerte atmosfeer (water en zuurstof partieeldruk minder dan 0.01 Pa) te handhaven tussen processtappen;

2. Tenminste één voorbehandelingskamer ontworpen voor oppervlaktevoorbereidingen bedoeld om de oppervlakte van wafers te reinigen; en

3. Epitaxiale afzettingswerktemperatuur van 685 °C of lager.

3B001.d.19

Apparatuur ontworpen voor het middels void-vrije-plasma versterkt afzetten van een laag diëlektricum met lage-κ zonder leegtes in ruimten van minder dan 25 nm breed met een diepte/hoogte verhouding (‹aspect ratio, AR›) gelijk aan of groter dan 1:1 tussen metalen lijnen met een diëlektrische constante lager dan 3.3

3D007

Programmatuur speciaal ontworpen voor de ontwikkeling, de productie of het gebruik van de apparatuur die is vermeld in deze regeling onder post 3B001.l, 3B001.m, 3B001.f.4, 3B001.d.12, 3B001.a.4 of 3B001.d.19.

3E005

Technologie die noodzakelijk is voor de ontwikkeling, productie of het gebruik van apparatuur, vermeld in deze regeling onder post 3B001.l, 3B001.m, 3B001.f.4, 3B001.d.12, 3B001.a.4 of 3B001.d.19.