|
3B801
|
‘Productieapparatuur’, ‘programmatuur’ en ‘technologie’ voor halfgeleiderelementen of materialen, niet gecontroleerd onder 3B001, 3D001, 3D002 en 3E001 van bijlage I bij de Verordening producten voor tweeërlei gebruik, als hieronder, en speciaal ontworpen onderdelen en toebehoren daarvoor:
|
|
|
|
|
|
3B801
|
|
c.
|
Apparatuur voor schoonmaken of verwijderen, als hieronder:
|
|
|
|
1.
|
Apparatuur ontworpen voor het verwijderen van polymeerresiduen en koperoxidelagen ter voorbereiding voor het afzetten van een kopermetaal in een vacuümomgeving (gelijk aan of lager dan 0,01 Pa).
|
|
|
|
2.
|
Apparatuur ontworpen voor de droge verwijdering van oxides van oppervlakken of de droge verwijdering van vervuiling op oppervlakken, gebruik makend van meerdere kamers of meerdere stations.
|
|
|
|
|
|
|
Noot: 1. Controle 3B801.c geldt niet voor apparatuur om lagen af te zetten.
|
|
|
|
|
|
3B801
|
|
d.
|
Apparatuur voor afzetting, als hieronder:
|
|
|
|
|
|
3B801
|
|
d.
|
3.
|
Apparatuur ontworpen voor atomaire-lagen-afzetting (ALD) van Molybdeen (Mo), Ruthenium (Ru) of combinaties van beide materialen, met alle van de volgende eigenschappen:
|
|
|
|
|
a.
|
Een metaalbron voor uitgangsstof (<precursor>) ontworpen of aangepast voor temperaturen hoger dan 75°C; en
|
|
|
|
|
b.
|
Een kamer (module) waar gebruik gemaakt kan worden van een reductiemiddel dat waterstof bevat, op een druk groter of gelijk aan 30 Torr (4kPa).
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Noot: 1. De bron voor metaal-uitgangsstof (<precursor>) hoeft niet geïntegreerd te zijn in de apparatuur.
|
|
|
|
|
|
|
3B801
|
|
d.
|
4.
|
Apparatuur ontworpen voor afzetten van een diëlectrische laag middels plasma versterkte chemische-lagen-afzetting (PECVD) of chemische lagen afzetting met behulp van vrije radicalen en UV behandeling in één platform, terwijl de substraattemperatuur lager gehouden wordt dan 500°C, met alle van de volgende eigenschappen:
|
|
|
|
|
a.
|
Een laagdikte tussen de 6 en 20 nm op metalen ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ (<aspect ratio>) gelijk of groter dan 1:1,8 en een wijdte van minder dan 24 nm; en
|
|
|
|
|
b.
|
Een diëlectrische constante van minder dan 3,0
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Technische noten:
1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen.
2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.
|
|
|
|
|
|
|
3B801
|
|
d.
|
5.
|
Apparatuur voor het afzetten van lagen, gebruikmakend van directe vloeistofinjectie van meer dan twee metalen uitgangsstoffen (<precursors>), ontworpen of aangepast voor het aanbrengen van een conforme diëlectrische laag met een diëlektrische constante (K) groter dan 40 in ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ (<aspect ratio>) gelijk of groter dan 200:1 in een en dezelfde depositie kamer.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Technische noten:
1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen.
2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.
|
|
|
|
|
|
3B801
|
|
d.
|
6.
|
Apparatuur voor het afzetten van lagen, gebruikmakend van directe vloeistofinjectie van meer dan twee metalen uitgangsstoffen (<precursors>), ontworpen of aangepast voor het aanbrengen van een conforme diëlectrische laag met een diëlectrische constante (K) groter dan 35 in ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ (<aspect ratio>) gelijk of groter dan 50:1 in een en dezelfde depositie kamer.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Technische noten:
1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen.
2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.
|
|
|
|
|
|
3B801
|
|
d.
|
7.
|
Apparatuur of systemen voor de productie van halfgeleiders ontworpen voor in meerdere stappen bewerken van wafers in meerdere kamers of stations, met één van de volgende eigenschappen:
|
|
|
|
|
a.
|
Selectieve groei van Tungsten (W) zonder barrière laag; of
|
|
|
|
|
b.
|
Selectieve groei van Molybdenum (Mo) zonder barrière laag
|
|
|
|
|
|
|
3B801
|
|
d.
|
8.
|
Apparatuur ontworpen voor het middels op afstand gegenereerde vrije radicalen afzetten van een laag die silicium en koolstof bevat, met alle van de volgende eigenschappen van de afgezette laag:
|
|
|
|
|
a.
|
In ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ (<aspect ratio>) groter dan 5:1 en een laterale wijdte van minder dan 35 nm;
|
|
|
|
|
b.
|
Een diëlectrische constante (K) van minder dan 4,4; en
|
|
|
|
|
c.
|
Een afstand tussen twee ‘gaten’ van minder dan 45 nm.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Technische noten:
1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen.
2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.
|
|
|
|
|
|
|
3B801
|
|
d.
|
9.
|
Apparatuur, niet beschreven door 3B801.d.8, ontworpen voor het middels op afstand gegenereerde vrije radicalen afzetten van een laag die silicium en koolstof bevat, met alle van de volgende eigenschappen van de afgezette laag:
|
|
|
|
|
a.
|
In ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ (<aspect ratio>) groter dan 5:1 en een laterale wijdte van minder dan 70 nm;
|
|
|
|
|
b.
|
Een diëlectrische constante (K) van minder dan 5,3; en
|
|
|
|
|
c.
|
Een afstand tussen twee ‘gaten’ van minder dan 100 nm.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Technische noten:
1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen.
2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat tussen de metalen lijnen.
|
|
|
|
|
|
|
|
3B801
|
|
f.
|
Lithografische apparatuur, als hieronder:
|
|
|
|
|
|
|
|
3B801
|
|
f.
|
6.
|
Repeteerapparatuur (‹step and repeat› (‹direct step on wafer›) apparatuur of ‹step and scan› (scanner) apparatuur) voor uitrichten en belichten ten behoeve van het bewerken van wafers, waarbij gebruik wordt gemaakt van foto-optische of röntgenmethoden, met alle van de volgende eigenschappen:
|
|
|
|
|
a.
|
een golflengte van de lichtbron gelijk aan of groter dan 193 nm;
|
|
|
|
|
b.
|
in staat om patronen te produceren met een ‹minimum resolvable feature size› (MRF) van 45 nm of minder; en
|
|
|
|
|
c.
|
een maximale ‹dedicated chuck overlay› (DCO) waarde hoger dan 1,50 nm en kleiner dan of gelijk aan 2,40 nm.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Technische noten:
1. De ‹minimum resolvable feature size› (MRF) wordt berekend volgens de volgende formule:
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
waarbij de K-factor = 0,25
(MRF) is zelfde als resolutie.
|
|
|
|
|
|
2. DCO is de mate van accuraatheid van uitlijning van een nieuw patroon op een bestaand patroon belicht op een wafer door hetzelfde lithografische systeem.
|
|
|
|
|
|
|
|
3B801
|
|
f.
|
7.
|
Apparatuur, niet beschreven door controle 3B801.f.6 of 3B501.f.1.b. van Bijlage I van de Verordening producten voor tweeërlei gebruik, ontworpen of aangepast om het aantal verwerkte wafers per uur te verhogen met minstens 1% over een ieder tijdsinterval, voor apparatuur gespecificeerd in 3B801.f.6 of 3B501.f.1.b. van Bijlage I van de Verordening producten voor tweeërlei gebruik.
|
|
|
|
|
|
|
|
3B802
|
Testapparatuur voor het testen van halfgeleiderelementen, als hieronder:
|
|
|
c.
|
Metrologie- of inspectieapparatuur, als hieronder:
|
|
|
|
1.
|
Systemen voor het vinden of inspecteren van defecten op wafers met een daarop aangebracht patroon, ontworpen of aangepast voor wafers groter of gelijk aan 300mm in diameter, met alle van de volgende eigenschappen:
|
|
|
|
|
a.
|
Ontworpen of aangepast om defecten te vinden met een afmeting kleiner of gelijk aan 21 nm; en
|
|
|
|
|
b.
|
Gebruik makend van ten minste één van de volgende technologieën:
|
|
|
|
|
|
1.
|
Een lichtbron met golflengte kleiner dan 400 nm;
|
|
|
|
|
|
2.
|
Een elektronenbundel met een resolutie kleiner (beter) dan of gelijk aan 1,65 nm;
|
|
|
|
|
|
3.
|
Een koude veldemissie (<Cold Field Emmision>) elektronenbundelbron;
|
|
|
|
|
|
4.
|
Twee of meerdere elektronenbundelbronnen.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2.
|
Systemen ontworpen om uitlijning of focus te meten van productiewafers na het ontwikkelen van fotolak of na etsen, gebruik makend van op afbeelding gebaseerde uitlijning of van op diffractie gebaseerde meetmethoden, met nauwkeurigheid van de meting van de uitlijning kleiner (beter) of gelijk aan 0,5nm en één van de volgende eigenschappen:
|
|
|
|
|
a.
|
Ontworpen voor integratie in een ‘track’.
|
|
|
|
|
b.
|
Gebruik makend van functionaliteit voor snelle golflengte wisseling (<fast wavelength switching>).
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Technische noten:
1. Een track is apparatuur ontworpen voor het aanbrengen van een laag en het ontwikkelen van fotolak voor lithografieapparatuur.
2. Onder snelle golflengte wisseling wordt verstaan dat binnen 25 ms de golflengte gewisseld kan worden en een meting gedaan kan worden.
|
